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高级工程师罗家强
高级工程师罗家强
罗家强,高级工程师。男,1945年10月出生,四川富顺人。1969年毕业于电子科技大学。现任职于信息产业部电子四十四所。主要贡献:1978~1983年参加GT301型InGaAS/GaAsPIN长波长光电探测器的研究,研制的产品获1984年电子科技成果二等奖,在《电子科学》杂志发表相关论文《溅射膜厚与溅射电流的依赖关系》;直InGaAs/GaAs气相外延研究期间,结合实际下作,运用高等数学微积分知识,从理论上导出InxGal-xAs/GaAs气相外延系统的组分缓变控制,论证了外延层的组分缓变关系;1983-1985年参加GT321型InGaAs/InP长波长光电探测器的研究,研制的产品通过局级鉴定,为国内的长波长光纤通信做出了贡献;1988~1994年,担任课题组长,主持高速光耦合器的研究,该项研究上作在国内是首欢送行;主持研制的产品有G08501型双路高速高增益光耦合器,1990年通过部级鉴定,在国内属首创,参数水平处于国内领先地位,该成果经科技主管部门推荐,编入国家科委决定出版的《中国技术成果大全》1992年19期;CH1203B型高压快速光耦合器,1992年完成正样任务。GHI402Z型三态输出光耦合器,1994年通过部级鉴定,该产品属国内首创。编写科研论文《双路高速高增益光电耦合器》、《高压快地光耦合器应用电路》、《国内高速光电耦合器研制动向》等;编写最新科技成果信息论文《未来半导体器件及集成电路中纳米线的制作》等4篇。论文《清晰热成像红外双色肖特基势垒CCD图像传感器》经《中国教育大精典》编委会评审为优秀论文著作,选人《中国教育大精典》,颁发《优秀论文著作》证书,并邀请参加1999年7月人民大会堂的"中国党建、部队、教育、科技、经济、文化五十年论坛"。个人简传已编入《中国专家大辞典》、《当代电子科技英才》、《中华国际英才研究院专家名录》。
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2005/9/21
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